大尺寸（1.7 × 1.7 mm²）β-Ga₂O₃场板型沟道MOS肖特基势垒二极管，具有1.2 kV击穿电压和高达10⁹的开关电流比

摘要 我们在β-Ga₂O₃ (001)衬底上，通过卤化物气相扩散生长的12 μm厚外延层，制造了高正向和低漏电流的沟道MOS型肖特基势垒二极管(MOSSBDs)，并结合了场板。MOSSBDs尺寸为1.7 × 1.7 mm²，在2 V正向电压下，正向电流为2 A（70 A cm⁻²），在-1.2 kV反向电压下，漏电流为5.7 × 10⁻¹⁰ A（开关电流比>10⁹），理想因子为1.05，晶圆级特定导通电阻为17.1 mΩ·cm².