在硅上的外延 III−V 纳米线

我们展示了 III−V 半导体纳米线在硅基底上理想的外延成核和生长结果。这解决了长期以来将高性能 III−V 半导体与主流硅技术集成的挑战。通过在这些纳米线中结合双异质结构段，证明了在室温下有效地在硅上生成光。我们期望先进的异质结构器件，如共振隧穿二极管、超晶格器件结构以及用于片上通信的异质结构光电子器件，现在可以作为硅集成的互补器件技术。