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本文提供了关于锗和硅的基础性质的最新实验信息，这些性质在当前或未来具有器件应用价值。文中对电学性质，特别是载流子浓度和迁移率进行了最详尽的探讨。并在提供物理背景所需的必要范围内提供了描述性资料。
E. M. Conwell (Sat,) 研究了这个问题。
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