石墨烯基电极材料量子电容性能的密度泛函理论计算

通过第一性原理密度泛函理论计算，我们证明了石墨烯基电极的量子电容可以通过 N 掺杂、空位缺陷以及吸附过渡金属原子来提高。量子电容的增强可归因于 Dirac 点附近局域态的形成和/或缺陷与掺杂引起的 Fermi 能级移动。此外，研究发现量子电容随着缺陷浓度的增加而单调增加。同时还发现，Fermi 能级附近的局域态会导致自旋极化效应。