Measurement of Phonon Energies in Silicon under Uniaxial Stress

Stress-induced changes in phonon energies of the TA (ξ, ξ, ξ) branch are investigated in silicon by using inelastic neutron scattering. With stress in the [111] direction of 1.01 GPa the energy shift of the phonons changes from 0.5% near the Γ-point to −1.2% at the zone boundary. Comparison with theoretical calculations of Mayer and Wehner [1] shows good agreement. Mittels inelastischer Neutronenstreuung werden die spannungsinduzierten Anderungen der Phononenenergien des TA-(ξ, ξ, ξ)-Zweiges in Silizium untersucht. Mit einer Spannung in [111]-Richtung von 1,01 GPa andert sich die Energieverschiebung der Phononen von 0,5% in der Nahe des Γ-Punkts auf −1,2% an der Zonengrenze. Der Vergleich mit theoretischen Berechnungen von Mayer und Wehner [1] zeigt gute Ubereinstimmung.