Une méthode en trois étapes pour le dé-embedding des mesures S-parameters haute fréquence

Les auteurs proposent une méthode générale de dé-embedding des mesures S-parameters du dispositif à tester (DUT) pour lequel les parasitiques typiques associés aux pads de sonde et aux lignes de métal interconnectées peuvent être dé-embedded de la mesure. Le DUT est le transistor bipolaire à jonction en silicium analogique incluant le pad et les interconnexions. Cette méthode inclut la soustraction des paramètres y parasitaires de shunt du motif de calibration open sur wafer ainsi que la soustraction des paramètres z parasitaires en série sur le circuit ouvert sur wafer, qui sont pris à partir des mesures des circuits court et à travers. Il est démontré que la perte de puissance calculée pour les parasitiques de pad et d'interconnexion peut être comparable à la consommation de puissance du transistor bipolaire avancé à haute fréquence (>ou=10 GHz). La connaissance de l'ampleur et du type des éléments de circuit de dé-embedding parasitaires peut aider l'ingénieur de dispositifs dans l'analyse de l'erreur associée au dé-embedding.