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马约拉纳零能模的非阿贝尔统计为拓扑量子计算提供了核心物理基础。将强自旋轨道耦合材料或拓扑材料与s波超导体相结合,利用异质结的近邻效应实现拓扑超导电性并探测马约拉纳零能模,是该领域的重要技术路线。本文在二硒化铌(NbSe2)单晶衬底上利用分子束外延技术生长了碲化银(Ag2Te)薄膜,构建了范德瓦尔斯异质结,借助Ag2Te的强自旋轨道耦合和NbSe2的近邻超导效应成功诱导近邻超导能隙约1.16 meV。借助扫描隧道显微镜/谱测量,在NbSe2上单层Ag2Te表面的磁通涡旋中同时观测到两类量子束缚态:其中部分涡旋零偏压电导峰随空间位置劈裂,属于平庸的Caroli-de Gennes-Matricon态;部分涡旋中的零偏压电导峰始终不随空间位置劈裂,与马约拉纳零能模的预期特征相符。上述结果提示,Ag2Te/NbSe2体系是潜在的二维马约拉纳零能模载体平台。
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Fang et al. (2026) studied this question.
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