Key points are not available for this paper at this time.
Les paramètres de commutation non uniformes et les pannes sévères causées par une fuite excessive d'oxygène sont les principaux problèmes qui entravent le développement de la mémoire à accès aléatoire (RRAM) à base de SiO x. Dans cette lettre, des dispositifs de commutation résistive Pt/Ti/Li x SiO y /Pt (Pt/Ti/LSO/Pt) à faible fuite d'oxygène ont été étudiés systématiquement, où la fuite d'oxygène a été atténuée par l'application de l'électrode Pt/Ti à réservoir d'oxygène. Comparés aux dispositifs Pt/Ti/SiO x /Pt, les dispositifs Pt/Ti/LSO/Pt montrent une grande uniformité, des tensions de commutation faibles (10 9) ont été démontrées. Ces résultats démontrent l'application possible de la configuration à faible fuite d'oxygène pour le développement de RRAM à base de SiO x.
Zhao et al. (Tue,) ont étudié cette question.