Estrutura eletrônica auto-consistente de (110) Ge-ZnSe

Cálculos de pseudopotencial auto-consistentes da estrutura eletrônica da interface (110) Ge-ZnSe (IF) indicam uma densidade de estados localizados da IF que podem ser detectáveis experimentalmente. O espectro completo é apresentado e o caráter dos estados da IF é discutido. Avaliações das cargas de ligação indicam pouca transferência de carga paralela à IF. Uma proposta de relaxamento dos átomos na IF também é apresentada. A estrutura eletrônica detalhada do Ge-ZnSe não se revela uma simples extensão da de Fe-GaAs.