迷走神经刺激通过海马调节改善记忆，最优增强依赖于刺激参数、给药部位、时机和性别特异性因素。
综述
迷走神经刺激是否改善记忆？
迷走神经刺激可能通过海马机制增强记忆，其效能依赖于刺激参数、时机和性别。
迷走神经刺激（VNS）被认为是一个有用的神经调节工具，通过对周围神经的电刺激来靶向中枢神经系统。迷走神经传入神经纤维激活脑干的孤束核（NTS），使得各种高级脑区域的调节成为可能，包括边缘系统和大脑皮层结构。除了神经和精神病学指征外，临床和临床前研究表明，VNS可以改善记忆。尽管利用VNS改善记忆的基本机制涉及到大脑区域，如前额叶皮层及警觉和唤醒等过程，在这里我们重点关注与海马相关的VNS诱导的记忆改善，这是与记忆获取最相关的主要区域。此外，我们详细介绍了研究表明，针对性VNS方法可以改变记忆结果，并深入探讨这些变化的分子机制。这些发现表明，对VNS机制的更深入理解，同时考虑刺激参数、给药部位、与训练的时间关系以及性别特异性因素，可能使VNS在增强记忆方面的应用达到最佳效果。
Olsen等（周四）在记忆增强方面进行了综述。评估了迷走神经刺激（VNS）对记忆改善的影响。迷走神经刺激通过海马调节改善记忆，最优增强依赖于刺激参数、给药部位、时机和性别特异性因素。