October 1, 1991
View Full Paper高P型镁掺杂GaN薄膜在GaN缓冲层上生长
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Abstract
在蓝宝石基底上生长了镁掺杂GaN薄膜，使用GaN缓冲层。生长的GaN薄膜的霍尔效应测量显示，孔浓度为2×10^15 /cm^3，孔迁移率为9 cm^2/V·s，常温下电阻率为320 Ω·cm。经过低能电子束辐照（LEEBI）处理后，各项值分别变为3×10^18 /cm^3，9 cm^2/V·s和0.2 Ω·cm。此孔浓度值是迄今为止报道的P型GaN薄膜中最高的，而电阻率则是最低的。