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在大量半导体（硅）上，成功地展示了铁电场效应，使用的是通过射频溅射法沉积的薄铁电镁铋酸盐（Bi 4 Ti 3 O 12）薄膜。制造了一种新的记忆器件，金属-铁电-半导体晶体管（MFST）。该器件利用铁电薄膜的剩余极化来控制大量半导体基底的表面导电性，并执行记忆功能。金属-铁电-半导体结构的电容-电压特性被用来研究记忆行为。研究的细节以及MFST的初步结果在这里呈现。
Shu-Yau Wu (Thu,) 研究了这个问题。