表面隧道晶体管的提案

提出了一种新的三端隧道装置——表面隧道晶体管（STT），并使用GaAs/AlGaAs展示其工作原理。STT由带绝缘栅的n+/i/p+二极管结构组成，类似于MOSFET。然而，源极和漏极的掺杂是相反的。该装置最重要的特点是漏极必须高度退化，以便在栅极下形成具有二维（2D）电子通道的隧道结。源到漏的隧穿电流通过栅极偏压来控制，这依赖于栅下累积的2D电子的浓度。使用MBE再生长技术在台阶结构上制造了以i-Al0.6Ga0.4As作为栅介质的GaAs STTs。该装置在77 K和室温下表现出晶体管特性，确认了STTs的新工作原理。