通过热解合成的掺钨二氧化钒纳米粉末及其电学性质

掺钨二氧化钒（VO2）纳米粉末是通过对(NH4)5(VO)6(CO3)4(OH)9·10H2O在低温下进行热解合成的，至今为止，首次使用活性白色粉末钨酸（WPTA）作为替代掺杂剂。通过四探针方法测量了从−5到150 °C的半导体−金属转变引起的电阻变化。差示扫描量热法和纳米粉末的电阻−温度曲线表明，VO2粉末的相变温度为67.15 °C，但对于掺钨的VO2，该温度降低至26.46 °C。结果表明，WPTA作为掺杂剂在降低相变温度方面极为有效。