用于直接转换无线接收器的1 GHz CMOS RF前端IC

首次在1 /spl mu/m CMOS中制作了一个集成低噪声放大器和在1 GHz下工作的下变频混频器。整体转换增益接近20 dB，双边带噪声指数为3.2 dB，IIP3为+8 dBm，电路从3 V电源中吸取9 mA。利用CMOS特性进行设计的方法在很大程度上促成了这种性能的实现。前端还在几个与直接转换接收器相关的其他方面进行了表征。