利用显微拉曼光谱测量多指 AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管中的温度分布

本研究探讨了在 SiC 衬底上生长的多指大功率 AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管中的温度分布。采用显微拉曼光谱以 1 μm 的空间分辨率测量了沟道温度，这是红外技术无法实现的。测定了具有不同指状结构数量、指宽和间距的四种不同器件布局的热阻值。实验获得的热阻与三维有限差分散热模拟预测的值相当吻合。该器件系统热学性质的不确定性使模拟的可靠性低于实验。