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Große MoS2-Kristalle können auf SiO2/Si-Substraten durch ein zweistufiges Verfahren der chemischen Dampfabscheidung gezüchtet werden. Die maximale Größe der MoS2-Kristalle kann bis zu etwa 305 μm betragen. Das Wachstumsverfahren kann auch zur Züchtung anderer Übergangsmetall-Dichalkogenid-Kristalle und lateraler Heterojunktionen verwendet werden. Die Elektronenmobiltät der MoS2-Kristalle kann ≈30 cm2 V-1 s-1 erreichen, was mit der von exfolierten Flakes vergleichbar ist.
Chen et al. (Thu,) haben diese Frage untersucht.
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