Graphène dopé à l'azote : Croissance efficace, structure et propriétés électroniques

Une nouvelle stratégie pour la croissance efficace du graphène dopé à l'azote (N-graphène) à grande échelle à partir de molécules de s-triazine est présentée. Le processus de croissance a été révélé in situ en utilisant la photoémission dépendante du temps. Il a été établi qu'un post-annealing de N-graphène après intercalation d'or provoque une conversion de l'environnement N de pyridinique à graphitique, permettant d'obtenir plus de 80 % de tout l'azote intégré sous forme graphitique, ce qui est essentiel pour le dopage électronique dans le graphène. Un gap énergétique, un niveau de dopage de 300 meV, et une concentration de porteurs de charge d'environ 8×10(12) électrons par cm2, induits par 0,4 % atomique d'azote graphitique, ont été détectés par spectroscopie de photoémission à angle résolu, offrant de grandes promesses pour la mise en œuvre de ce système dans les dispositifs électroniques de prochaine génération.