Transistors organiques à effet de champ ultraflexibles intégrés à une position de déformation neutre

Nous avons fabriqué des transistors à effet de champ (FET) en pentacène ultraflexibles avec une mobilité de 0,5 cm2∕Vs et un rapport on/off de 105, qui fonctionnent à un rayon de courbure inférieur à 1 mm. Les transistors sont fabriqués sur un film de polyimide de 13 μm d'épaisseur et recouverts par une couche d'encapsulation en poly-chloro-para-xylène de 13 μm d'épaisseur afin que les transistors puissent être intégrés dans une position neutre. Cette structure en sandwich peut drastiquement supprimer les changements induits par la déformation dans les caractéristiques des transistors. De plus, les FET ne montrent aucun changement significatif après 60 000 cycles de flexion sous contraintes de courbure intérieure et extérieure.