全シリコン受動光ダイオード

受動光ダイオード効果は、オンチップ光情報処理に有用ですが、達成するのが難しいです。光学的非線形性に基づく方法を使用して、私たちは、通信波長内で最大28デシベルの前後伝送比を示します。半径5マイクロメートルの2つのシリコンリングを使用する私たちのデバイスは受動的ですが、広範な入力電力レベルに対して光学的非共役性を維持し、前方入力よりも後方入力電力が高い場合でも同様に良好に機能します。シリコン光ダイオードは超コンパクトで、現在の相補型金属酸化物半導体処理と互換性があります。