ミリ波（Bi）CMOS集積回路用の30-100-GHzインダクタおよびトランス

シリコン平面および三次元インダクタとトランスが設計され、100 GHzまでウエハ上で特性評価されました。100 GHzを超える自己共振周波数（SRF）が得られ、スパイラル構造が60-GHz無線LANや77-GHz自動車レーダーなどのアプリケーションに適していることを初めて示しました。基板に対する面積を最小化することは、高いSRFを達成するために重要です。Stackedトランスは50 GHzでS/sub 21/が-2.5 dBであると報告されており、平面トランスやマイクロストリップカプラよりも性能が向上し、面積が小さい（30 /spl mu/m/spl times/30 /spl mu/m）です。コンパクトなインダクタモデルが説明され、シミュレーションまたは測定されたy-パラメータからモデルパラメータを抽出するための方法論が提供されます。スパイラルインダクタを用いたミリ波SiGe BiCMOSミキサーおよび電圧制御振動子回路が発表され、これまで報告された伝送線路ベースの回路と比較して、より良いまたは同等の性能を示しています。