基于GeTe合金的激光诱导晶化现象。I. 核化和生长的特征

通过局部反射测量，使用聚焦的780 nm激光定量研究了基于GeTe的非晶合金薄膜的激光诱导晶化行为。使用多个激光脉冲序列使得可以分别推导出核化速率和晶体生长速度，从而能够跟踪这两个过程的组成变化。这不仅提供了有关晶化机制的详细信息，还允许对相变合金成分进行精细调整，以便于在可擦除光学记录中使用。同时也讨论了沉积后和熔融淬火非晶相之间的差异。特别是，结果表明，沉积层的晶化速度与熔融淬火非晶层的晶化速度可以相差一个数量级。然而，沉积状态可以转变为与熔融淬火之前的晶态层相当的改性非晶状态。这允许确定在光学记录过程中写入的非晶状态的光学常数和晶化速度。