基于蒽衍生物的有机发光二极管中三线态-三线态湮灭的表征

我们报道了基于蒽衍生物的有机发光二极管（OLEDs）中的稳态电致发光在很大程度上来源于复合载流子产生的三线态湮灭。对于具有以下通用结构的OLED器件：indium tin oxide∕N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine∕9,10-bis(2-naphthyl)-2-t-butylanthracene∕Alq3 (tris(8-hydroxyquinolate)aluminum)∕LiF∕Al，三线态-三线态湮灭对总电致发光的贡献高达 3%–6%。与三线态-三线态湮灭相关的发射强度随电流密度和脉冲宽度显著变化，在低电流密度（5mA∕cm2）和高电流密度（10mA∕cm2）区间分别呈现为电流密度的二次方函数和线性函数关系。我们发现，在广泛的工作条件下，载流子淬灭是三线态的主要衰减过程，产生数十至数百微秒的三线态寿命。通过改善注入和传输来降低载流子浓度，不仅有望降低工作电压，而且还能增强三线态-三线态湮灭，从而提高整体电致发光效率。