Point defect associates and inhomogeneity effects in deformed germanium

The electrical properties of deformed n- and p-type germanium can be related to the presence of dislocations and of point defects exhausting the primary doping elements by association reactions. The distribution of the associates should be inhomogeneous, with higher concentrations around the dislocations. The energy levels of the main associates should lie at 0.10 eV above the valence band. Die durch plastische Verformung bedingten elektrischen Eigenschaften von n- und plietenden Germanium-Einkristallen sind durch Versetzungen sowie durch Punktdefekte zu erklaren, die mit den Atomen der Dotierungssubstanz Assoziate bilden. Diese Assoziate besitzen eine inhomogene Verteilung, mit hoheren Dichten um die Versetzungen. Die Niveaus der wichtigsten Assoziate liegen 0,10 eV uber der Valenzbandkante.