Experimental investigation demonstrates nondestructive characterization of semiconductor surfaces via transient acoustoelectric voltage, highlighting direct links to carrier dynamics.
Une nouvelle structure de ligne a retard et les nouveaux concepts d'interaction entre le semiconducteur et les ondes acoustiques de surface offrent une methode de caracterisation des surfaces et interfaces de semiconducteurs. Le signal analyse est la tension acoustoelectrique transversale, dont la constante de temps en regime transitoire est reliee a la duree de vie des porteurs et a la vitesse de generation des porteurs en surface
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Davari et al. (1985) studied this question.
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