Bei der zukünftigen Entwicklung von blauen Lasern und optischer Kommunikation wird GaN große Bedeutung zukommen. Über 10 μm lange, kristalline GaN-Nanoröhren mit einheitlichem Durchmesser von ca. 80 nm und einer Wanddicke von ca. 20 nm (siehe Bild) können durch einen zweistufigen Prozess in größerem Maßstab hergestellt werden. Ein Reaktionsschritt ist die gut kontrollierbare Umwandlung von amorphem Gallium(III)-oxid in Ga2O-Nanoröhren.
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Hu et al. (2003) studied this question.
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