低温下电子反型层中的非金属传导

我们测量了 Si 金属-氧化物-半导体场效应晶体管中电子反型层在低温（50 mK）和低电场（0. 1 V/m）下的电阻。在较低的 R_ 值下，我们观察到电阻对温度和外加电场均表现出对数依赖性，且仅随 R_ 发生缩放。在 R_10 k 时，我们观察到逐渐转变为指数依赖性。这种对数依赖性在定性上与当前的局域化理论一致，但在定量上并不一致。