DLTS investigation of electron traps in As-grown and Cd-fired CdS

Deep level transient spectroscopy is used to investigate electron traps in as-grown n-CdS and in CdS annealed in Cd vapour or in liquid Cd. Nine electron traps are detected with activation energies in the range ≈ 0.19 to 0.92 eV. Two traps with mean activation energies of 0.19 eV (E1) and 0.46 eV (E2) are present in all samples regardless of source or annealing treatment and have also been reported by other workers. Because of their large electron capture cross-sections (> 10−14 cm2) and the linear relation between their concentrations and the free electron concentration, E1 and E2 are believed to be donor-like associates formed between residual impurities and native defects. „DLT”︁-Spektroskopie wird zur Untersuchung von Elektronenhaftstellen in „as-grown”︁ n-CdS und in CdS benutzt, das im Cd-Dampf oder in flüssigem Cd getempert wird. Neun Elektronenhaftstellen werden nachgewiesen mit Aktivierungsenergien im Bereich ≈ 0,19 bis 0,92 eV. Zwei Haftstellen mit mittleren Aktivierungsenergien von 0,19 eV (E1) und 0,46 eV (E2) sind in allen Proben unabhängig von der Quelle oder Temperungsbehandlung vorhanden und werden auch von anderen Autoren angegeben. Wegen ihrer großen Elektronen-Einfangquerschnitte (> 10−14 cm2) und des linearen Zusammenhangs zwischen ihren Konzentrationen und der Konzentration freier Elektronen wird angenommen, daß E1 und E2 donator-ähnliche Assoziate zwischen Restverunreini-gungen und Eigendefekten sind.