Study of the surface barrier of the metal–n-CdTe contact

Schottky contacts are formed by evaporating Pt, Au, Cu, Ni, and Al onto the vacuum-cleaved surfaces of n-CdTe. The barrier height ΦB decreases as the metal work function Φm decreases and an ohmic contact is obtained for Al. The surface state density evaluated from the ΦB vs. Φm plot is 6.2 × 1012 states/cm2 eV, which is smaller than the published values for group-IV elemental semiconductors and III-V compound semiconductors. It shows that the Fermi level is not pinned at the surface. Schottky contacts prepared on the surfaces cleaved in the atmosphere and on those etched chemically have higher barrier heights than those prepared on the vacuum-cleaved surfaces. In these contacts, an interfacial layer is formed between the metal and the semiconductor and the surface state density is different from that of the vacuum-cleaved surfaces. Les contacts de Schottky ont ete formes par evaporation de Pt, Au, Cu, Ni et Al sur les surfaces clivees en vide de n-CdTe. La hauteur de la barriere de potentiel ΦB decroǐt a mesure que le travail d'extraction de metal Φm decroǐt et un contact ohmique est obtenu en ce qui concerne Al. La densite d'etat de surface evaluee par la representation graphique de ΦB contre Φm est 6,2 × 1012 etats/cm2 eV, qui est plus petite que les valeurs publiees en ce qui concerne les semi-conducteurs elementaires du groupe quatre et les semi-conducteurs composes des groupes trois et cinq. Cela montre que le niveau de Fermi ne se fixe pas a la surface. Les contacts de Schottky qui ont ete prepares sur les surfaces clivees dans l'air et sur celles attaquees chimiquement ont les barrieres plus hautes que les contacts prepares sur les surfaces clivees en vide. Dans ce cas, une couche d'isolement est formee entre le metal et le semi-conducteur et la densite d'etat de surface est differente de celle observee en cas des surfaces clivees en vide.