SIMULATION OF THE PHOTOSENSITIVE ELEMENT BASED ON STRUCTURE OF InGaAs/AlNaS/InGaAs

249) 2018Электронная техника.Серия 2. Полупроводниковые приборы.Выпуск 2 ( 249) 2018, с. 19-28 Electronic engineering.Series 2. Semiconductor devices.Issue 2 (249) 2018, pp.19-28 УДК 621.383.5 МОДЕЛИРОВАНИЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ СТРУКТУРЫ InGaAs/AlNaS/InGaAs М.А.Зиновьев, М.В.Меженный, А.С.Дренин, Е.С.Роговский, О.В.Хоруженко, О.Р.Абдуллаев АО «Оптрон», 105318, г.Москва, Щербаковская ул., д. 53 В работе представлена математическая модель фоточувствительного элемента (ФЧЭ) на основе гетероэпитаксиальной xBn-структуры p + -InGaAs/n-AlInAs/n-InGaAs. Определён алгоритм расчёта для двухмерного моделирования ФЧЭ в программной среде Synopsys TCad, включающей расчёты распределения потенциалов и зарядов в структуре, перенос носителей заряда (н.з.) с учётом влияния ионизации, вероятности лавинного пробоя и оптического возбуждения монохроматическим излучением.Представлены результаты расчёта зонной диаграммы гетероэпитаксиальной рВn-структуры, плотности темнового тока и фототока в зависимости от её конструкции.На основе выполненных расчётов была оптимизирована конструкция эпитаксиальной структуры для ФЧЭ.