Safe Operating Area of 4h-Sic Schottky Diodes Under the Impact of Heavy Charged Particles

Electronic engineering.Series 2. Semiconductor devices.Issue 1 (252) 2019, рр.30-38 Electronic engineering.Series 2. Semiconductor devices.Issue 1 (252) 2019 УДК 621.382.019.3ОБЛАСТЬ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ 4H-SiC ДИОДОВ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ТЯЖЁЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ П.С.Громова 1 , А.С.Тарараксин 2 , А.С.Колосова 1,2 , Д.В.Бойченко 2 , В.Н.Вьюгинов 3 , В.В Лучинин 4 1 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г.Москва; 2 АО «ЭНПО Специализированные электронные системы», г.Москва; 3 АО «Светлана-Электронприбор»; 4 СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Экспериментально исследованы одиночные радиационные эффекты отказов в диодах Шоттки на 4H-SiC иностранного производства с рабочим напряжением от 600 В до 1700 В. Определены области безопасной работы по эффекту одиночного пробоя от тяжёлых заряженных частиц космического пространства, проведено сравнение с аналогичными данными для кремниевых мощных диодов Шоттки.